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M/A- COM Technology Solutions Inc. ("MACOM"), un proveedor líder de productos de alto rendimiento RF, microondas y ondas milimétricas, anuncia un nuevo transistor de potencia pulsado HEMT GaN en SiC HEMT para radares civiles y militares en aplicaciones pulsadas.

El MAGX-000035-045000 es un transistor de potencia RF en oro metalizado GaN en SiC, optimizado para aplicaciones RF de alto rendimiento, tales como radar de banda L y banda S. MAGX-000035-045000 proporciona un pico de potencia de salida típico de 55 W con 11 dB de ganancia de potencia y eficiencia del 55%. El dispositivo se monta en un diseño de vanguardia y encapsulado cerámico Cu/Mo/Cu, que permite al cliente alcanzar una mayor potencia y eficiencia para las aplicaciones exigentes actuales.
"El nuevo transistor de potencia de GaN ofrece una solución versátil y de alto rendimiento para aplicaciones de potencia y de controlador pulsado sobre un amplio rango de frecuencias", comentó Paul Beasly, Director de Producto. "El dispositivo es claro líder en aplicaciones de Banda S con 55 Wpk de potencia y eficiencia del 55% en un pequeño encapsulado cerámico de 20,3 x 5,8 mm con bridas."
Con un funcionamiento en el rango de frecuencias DC-3500 NHz, el MAGX-000035-045000 es un transistor de gran robustez a prueba de avería en alta tensión y que cuenta con un tiempo medio de fallo (MTTF) de 600 años.

La siguiente tabla muestra el rendimiento típico:

Parámetros       

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