El Centro de Investigación tecnológica francés CEA-Leti ha anunciado conseguido una fuente de laser totalmente compatible con CMOS acoplado a una guía de onda de silicio, un exito importante hacia el objetivo del proyecto WADIMOS de fabricar una red óptica de interconexión en un chip,  en las fundiciones de CMOS. WADIMOS es un proyecto de investigación financiado por la UE para conseguir una capa de interconexión fotónica en CMOS. Los socios en el proyecto de la entidad francesa LETI,  incluyen a STMicroelectronics, MAPPER Litography, Instituto de Nanotecnologías de Lyon (INL) y la Universidad de Trento.

El  LETI ha  completado los procesos de estudio específicos de la fuente de láser para adaptar y modificar los pasos estándar III-V de proceso de materiales que puedan ser compatibles en un entorno de CMOS. LETI sustituyó los  contactos de metal con base de oro por una parte de Ti / TiN / metálica. Los circuitos han sido procesados en obleas de 200 mm de diámetro en las instalaciones del LETI.
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Los socios de WADIMOS presentaron los resultados en la feria SPIE Photonics Europe 2010 celebrada en Bruselas entre el 12 y 16 de Abril.

La enorme potencia de cálculo de los sistemas multi-procesador y las herramientas de fabricación que se están considerando requieren velocidades de transferencia de más de 100Terabit/ s. Estos tipos de datos pueden ser necesarios en chips, por ejemplo, en los procesadores multi-núcleo, que se espera necesiten índices totales de datos sobre el chip de hasta 100TB/ s para el año 2015, o fuera de chip, por ejemplo, en interconexiones de datos de corta distancia, que requieren hasta 100TB/ s en distancias de 10-100 metros. Las Interconexiones ópticas son la única tecnología viable para la transmisión de estas cantidades de datos.

Además de una tasa de datos de gran tamaño, las interconexiones ópticas también permiten una mayor flexibilidad a través del uso de WDM. Esta característica puede ayudar a descubrir  sistemas más inteligentes de interconexión como el sistema de redes ópticas on-chip que el proyecto WADIMOS también está estudiando.

WADIMOS, que es una abreviatura de Wavelength Division Multiplexed Photonic Layer on CMOS, construirá una capa compleja de interconexión fotónica incorporando microfuentes multicanal, microdetectores y diferentes funciones de enrutamiento avanzado de longitud de onda directamente integrados con circuitos de controlador electrónico. Asimismo, mostrará la aplicación de circuitos integrados electro-fotónicos en una red óptica on-chip y un enlace de datos ópticos de terabits.