Los sistemas RF necesitan amplificadores de potencia (PA) que proporcionen una alta potencia de salida lineal y eficiente. A medida que los sistemas pasan a esquemas de modulación de orden superior, como la modulación de amplitud en cuadratura 64/128/256 (QAM - Quadrature Amplitude Modulation), también deben ofrecer una alta linealidad y eficiencia en entornos más densos con una estricta relación pico-potencia media (PAPR-Peak to Average Power Ratio). Una nueva generación de PAs de nitruro de galio (GaN) sobre circuitos integrados monolíticos de microondas (MMIC-Monolithic Microwave Integrated Circuits) de carburo de silicio (SiC) ofrece una solución a estos retos con la mayor densidad de potencia para generar una elevada potencia de salida lineal con alta eficiencia.
- Jueves, 10 Octubre 2024