Mitsubishi Electric Corporation ha introducido un diodo láser de retroalimentación distribuida (DFB-LD), denominado ML7xx42,  y el fotodiodo de avalancha (APD) PD8xx24. Ambos dispositivos han sido diseñados específicamente para su uso en unidades de red óptica (ONU) de redes ópticas pasivas Ethernet 10 Gigabit (10G-EPON) simétricas. El nuevo diodo láser de retroalimentación distribuida ML7xx42 incorpora una capa activa AlGaInAs con 10 mW de potencia de salida en baja corriente, incluso en condiciones de alta temperatura. Debido a una modulación de ancho de banda mejorada que es capaz de trabajar con suavidad a 10Gbps. Este DFB-LD se suministra en un encapsulado TO-CAN con un diámetro de 4,8 mm y equipado con una lente asférica que proporciona alta eficacia de acoplamiento.

ML7xx42 tiene su pico de emisión de luz en una longitud de onda de 1270 nm, mientras que la potencia de salida es de 10 mW en corrientes de funcionamiento de menos de 70 mA. Está diseñado para la gama de temperatura de funcionamiento de -5 ºC a +75 ºC.

Mitsubishi Electric utiliza AllnAs para la capa de multiplicación del nuevo fotodiodo de avalancha de bajo ruido que proporciona una sensibilidad líder en la industria de 31,5dBm. En un encapsulado TO-CAN de 5,4 mm con una tapa de lente bola, el PD8xx24 opera en longitud de onda 1570 nm y tiene una responsividad APD típica de 0,8A/W, junto con un ancho de banda típica de 6,5GHz.

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