M/A-COM Technology Solutions Inc. ("MACOM") ha presentado el nuevo Magx-100027-100C0P, un transistor de banda ancha optimizado para funcionamiento DC-2.7 GHz y construido usando su propio proceso "GaN on Silicon" de cuarta generación patentado. Este transistor HEMT D-Mode GaN on Si es ideal para comunicaciones de defensa, radio móvil terrestre, aviónica, infraestructura inalámbrica, aplicaciones ICM y VHF / UHF / L / radar de banda S.

El Magx-100027-100C0P soporta CW, funcionamiento lineal y por pulsos con niveles de potencia de salida de hasta 100 W (50 dBm). Con un funcionamiento de 50, este dispositivo ofrece un funcionamiento CW de 18,3 dB de ganancia a 2,45 GHz, y un 70% de eficiencia de drenaje. Para el funcionamiento por pulsos, el Magx-100027-100C0P cuenta con 18,4 dB de ganancia en 2,7 GHz y 71% de eficiencia de drenaje. Este 100% probado transistor está disponible en un encapsulado de plástico estándar de la industria con la brida perno hacia abajo.

Ofreciendo un rendimiento que rivaliza con el caro GaN en carburo de silicio (GaN on SiC) con una estructura de costes de producción en volumen proyectado por debajo de la tecnología LDMOS titular, la cuarta generación de GaN (Gen4 GaN) está en condiciones de romper las barreras técnicas y comerciales finales para la adopción de GaN como tendencia principal. Gen4 GaN proporciona más del 70% de eficiencia máxima y 19 dB de ganancia para señales moduladas a 2,7 GHz, que es similar a la de GaN en tecnologías SiC, y más de 10 puntos porcentuales mayor eficiencia que LDMOS. También ofrece densidad de potencia de  más de cuatro veces la de LDMOS.

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