El transistor de alta movilidad de electrones (HEMT) QPD0011 de Qorvo® se basa en la tecnología de nitruro de galio sobre carburo de silicio (GaN-on-SiC). Apto para potencias de entrada variables de entre 30 y 60 W y tensiones de drenaje de +48V, el QPD0011 suministra potencia (hasta 90 W) y rendimiento para estaciones base de telefonía móvil y aplicaciones RF en sistemas 5G de tipo «Massive MIMO», LTE y WCDMA. La placa de evaluación QPD0011EVB1 permite la rápida creación de un prototipo al incorporarla a diseños ya existentes.

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