MACOM Tecnología Solutions Inc. ( "MACOM") ha anunciado las nuevas entradas en su serie MAGb de transistores de potencia de GaN sobre silicio para uso en macro estaciones base inalámbricas.

Basado en la tecnología Gen4 GaN de MACOM, los nuevos transistores de potencia MAGB-101822-240B0P y MAGB-101822-120B0P aprovechan las claras ventajas de rendimiento de GaN en un encapsulado robusto de plástico de bajo coste, lo que permite la mejora de eficiencia de costes que distinguen aún más a los transistores de potencia de GaN de MACOM como los sucesores naturales de los anteriores LDMOS para aplicaciones de estación base.

El nuevo encapsulado plástico TO-272 de los transistores de potencia MAGB-101822-240B0P y MAGB-101822-120B0P  proporcionan 320 W y 160 W de potencia máxima de salida, respectivamente, en el sistema load-pull sólo con la sintonización básica, y cubren todas las bandas celulares y niveles de potencia dentro del rango de frecuencia 1,8 - 2,2 GHz. Esta abilidad de los transistores para funcionar sobre 400 MHz del ancho de banda se opone a la necesidad de utilizar varios productos basados ​​en LDMOS, optimizando aún más la eficiencia de costes y de diseño.

Los transistores de potencia MAGB encapsulados en plástico ofrecen una eficiencia energética hasta un 79%, una mejora de hasta el 10% en comparación con las ofertas LDMOS, sólo con la sintonización básica en todo el ancho de banda de RF de 400 MHz, y con el aumento lineal de hasta 20 dB. Estos transistores proporcionan una alternativa atractiva a los dispositivos de encapsulados de cerámica sin comprometer el rendimiento o la fiabilidad de RF; el comportamiento térmico se mejora en un 10% en comparación con las ofertas de MAGB-en encapsulados cerámicos.

Estos transistores de potencia permiten la implementación de un diseño de amplificador simple simétrico Doherty mientras se mantiene un excelente rendimiento de RF en comparación con el menor rendimiento y complejas topologías Doherty asimétricas impuestas por los transistores basados ​​en LDMOS. Con los transistores de la serie MAGB de MACOM, las implementacion de amplificador Doherty muestran el mismo nivel de amigabilidad DPD a las soluciones basadas en LDMOS.

"DPD es fundamental para aumentar la eficiencia de los amplificadores de potencia para aplicaciones de estación base 4G y 5G, y tiene un impacto significativo en los gastos de funcionamiento e inversiones de los operadores de red", comenta el Dr. Chris Dick, Arquitecto Jefe DSP en Xilinx. "Nuestra demostración conjunta con MACOM en el IMS 2016 será un escaparate de las capacidades DPD combinadas de los transistores de potencia GaN Gen4 MAGB de MACOM y las tecnologías DPD complementarias de Xilinx en nuestros SoC de 28 nm Zynq® y MPSoC 16 nm UltraScale+™. Esta solución conjunta pone de relieve las ventajas de tiempo de lanzamiento al mercado que se pueden conseguir con una solución DPD probada e interoperable ".

"Nuestra colaboración con Xilinx demuestra la linealidad y la facilidad de corrección de nuestro MAGb, especialmente con las señales que se sabe que son difíciles de corregir usando soluciones basadas en GaN como las señales multi-carrier TDD-LTE y GSM", comenta Preet Virk, Vice Presidente Senior y Director general de Carrier Networks en MACOM. "Creemos que con la introducción de nuestros nuevos transistores de potencia MAGb en encapsulado plástico, estamos extendiendo aún más esta ventaja de precio / rendimiento con LDMOS de la competencia y otras tecnologías de GaN, y la aceleración de la evolución de las PAs basadas en GaN para estaciones base inalámbricas."

La serie de transistores de potencia MAGb GaN Gen 4 de MACOM permite a los operadores inalámbricos desplegar las últimas versiones de LTE y reducir significativamente los gastos de funcionamiento del sistema a precios muy competitivos, con una cadena de suministro escalable combinada con aplicaciones de gran experiencia de MACOM y equipo de soporte de diseño.

Algunos productos en la serie de transistores de potencia GaN MAGb de MACOM se están enviado como muestra a los clientes cualificados en la actualidad.

Más información o presupuesto